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pSemi推出高速GaNFET驱动器大幅提高固态LiDAR分辨率

发布日期:2020-09-14 15:13浏览次数:
据麦姆斯咨询报导,Muratacompany(日本村田)旗下子公司pSemitrade;Corporation(曾用名PeregrineSemiconductor,以下全称pSemi)近日在INTERNATIONALMICROWAVESYMPOSIUM(IMS国际微波会议)上宣告发售应用于固态LiDAR(激光雷达)的GaNFET(氮化镓场效应晶体管)驱动器PE29101。PE29101具备业内最慢的上升时间和更加较低的大于脉冲宽度。这款高速驱动器可协助设计工程师充分利用GaN晶体管的全部性能和电源速度优势。

pSemi推出高速GaNFET驱动器大幅提高固态LiDAR分辨率

在固态LiDAR系统中,更慢的电源速度意味著更高的LiDAR光学分辨率和精度。“随着GaN逐步证明其在固态LiDAR等应用于中的起到,设计工程师于是以利用pSemi的高速驱动器来最大化GaN的较慢电源优势,”pSemi首席技术官JimCable说道,“凭借PE29101的下降和上升速度,可协助LiDAR系统构建其有可能超过的最低光学分辨率,而这正是产业所必须的,以充分发挥LiDAR系统最原始的潜在性能。”LiDAR的运营原理与毫米波雷达类似于,只是以脉冲激光来准确测绘周围的环境,经常用作高分辨率测绘。LiDAR现在开始应用于汽车ADAS(先进设备驾驶员辅助系统)系统,并被普遍指出是全自动驾驶汽车的适当使能技术。此外,固态LiDAR则凭借其经济性、可靠性和比起机械LiDAR更加灵活的尺寸,早已作为未来商业化LiDAR系统的领导者而渐渐蓬勃发展。

pSemi推出高速GaNFET驱动器大幅提高固态LiDAR分辨率

在LiDAR系统中,脉冲激光器的电源速度和上升时间直接影响着LiDAR的测量精度。为了提升分辨率,电流必须尽量慢地转换通过激光器二极管。GaN技术凭借其极低的输出电容,及其比起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)明显更慢的电源速度,为LiDAR系统获取了更高的分辨率和更加慢的响应时间。GaNFET必需由十分慢的驱动器来掌控,以最大化它们的较慢电源潜力。更高的电源速度拒绝驱动器具备较慢的上升时间和更加较低的大于输入脉冲宽度。PE29101不具备这些关键的性能参数,需要协助GaN技术提升LiDAR分辨率。特性、PCB、价格和供货PE29101是一款掌控GaN晶体管栅极的半桥FET驱动器。这款驱动器输入需要在超过40MHz的电源应用于中获取亚纳秒范围内的转换切换速度。PE29101的下降/下降时间为1ns,100pFload,大于输入脉冲宽度2ns。

pSemi推出高速GaNFET驱动器大幅提高固态LiDAR分辨率

其工作电压范围为4V~6.5V,可反对80V的低外侧浮动电源电压。PE29101的输入纳电流(sourcecurrent)为2A,输入溪边电流(sinkcurrent)为4A。PE29101获取倒装芯片PCB,目前已可获取大规模量产的产品、样品和评估套件。1000颗订单量的单价为2.79美元。

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